Chinos desarrollan la memoria flash más rápida del mundo: ‘Poxiao’

Picotazo Político / Redacción

Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan ha dado a conocer un revolucionario avance en el almacenamiento digital: un dispositivo de memoria flash ultra rápida, del tamaño de un grano de arroz, capaz de borrar y reescribir datos en tan solo 400 picosegundos, es decir, 0.0000000004 segundos. Este hito fue publicado esta semana en la revista científica Nature.

Bautizado como ‘Poxiao’, el dispositivo representa un salto tecnológico sin precedentes al ofrecer una velocidad operativa de 2.500 millones de ciclos por segundo, lo que supone un rendimiento 100.000 veces superior al de las memorias flash convencionales.

En comparación, mientras una unidad tradicional tarda microsegundos en realizar sus operaciones, ‘Poxiao’ lo hace en fracciones infinitesimales de segundo.

La memoria flash es un tipo de almacenamiento no volátil que conserva la información incluso sin energía. A diferencia de los discos duros, emplea chips de silicio sin partes móviles, lo que le da ventaja en rapidez, eficiencia energética y resistencia a golpes.

Sin embargo, su velocidad ha estado limitada por restricciones físicas en el diseño de los campos eléctricos internos.

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Lo innovador de ‘Poxiao’ es un nuevo mecanismo que transfiere electrones directamente a un estado de alta energía sin calentamiento previo, lo que rompe con las limitaciones de la física de semiconductores tradicional.

Esta tecnología promete reducir la latencia en aplicaciones exigentes como la inteligencia artificial y mejorar la eficiencia energética en centros de datos, un aspecto clave ante el aumento del consumo global.

Aunque los primeros prototipos cuentan con una capacidad de solo algunos kilobytes, los investigadores ya iniciaron la producción a pequeña escala para evaluar su desempeño en entornos reales. La Universidad de Fudan espera escalar esta tecnología hasta alcanzar decenas de megabytes en un plazo de cinco años y desarrollar licencias comerciales.

Este avance marca un momento crucial para el futuro del almacenamiento digital, ofreciendo un camino hacia dispositivos más rápidos, eficientes y sostenibles.